پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

          شاهین22 
            بازدید : 37
          شنبه 31 خرداد 1399
           نظرات (0)
        

پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

فرمت فایل دانلودی: .pptx
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 9
حجم فایل: 1174 کیلوبایت
قیمت: 5500 تومان

توضیحات:
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته مهندسی برق با موضوع ترانزیستورهای تک الکترون، در حجم 9 اسلاید، همراه با تصاویر.

در این پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای تک الکترونی به زبان فارسی ذکر شده و توضیح انواع روش های ساخت آن بیان شده است.

بخشی از متن:
ترانزیستورهای تک الکترون، بدلیل حساسیت بالای خود به بار الکتریکی، مصرف پایین برق و چگالی بالای مجتمع سازی ،کاربردهای گسترده ای پیدا کردند.
ترانزیستور تك الكترونی در حقیقت مانند یک جعبه الكترون است كه دارای دو اتصال جداگانه برای ورود و خروج الكترون می‌باشد. بزرگترین مزیت ترانزیستور تک الكترونی آن است كه در ابعاد بسیار كوچک (درحد نانومتر) قابل ساخت است.

فهرست مطالب:
ترانزیستورهای تک الکترون
دسته بندی کلی روش های ساخت
انواع روش های ساخت SET
1. روش پل دولان
2. روش EBL
3. روش FIB
4. روش STM
5. روش AFM
کاربرد ترانزیستور تک الکترونی

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

          شاهین22 
            بازدید : 26
          شنبه 31 خرداد 1399
           نظرات (0)
        

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

فرمت فایل دانلودی: .pptx
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 7
حجم فایل: 468 کیلوبایت
قیمت: 4000 تومان

توضیحات:
پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.

این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.

بخشی از متن:
در ویفرهای SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند.
ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.

فهرست مطالب:
ساختار تکنولوژی SOI
ویژگی های تکنولوژی SOI
کاربردهای تکنولوژی SOI
قفل شدگی
خازن های نفوذ با SUBSTRATE
Soft Errors

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

          شاهین22 
            بازدید : 23
          دوشنبه 26 مهر 1395
           نظرات (0)
        

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور
دانلود پاورپوینت ترانزیستور ماسفت
دانلود پاورپوینت ترانزیستور MOSFET
دانلود پاورپوینت ترانزیستور اثر میدان
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا اکسید فلز
دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	ppt
حجم فایل	1967 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	101

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

مقدمه:

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

ترانزیستور ماسفت

ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور اثر میدان

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

فهرست مطالب

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستور NMOS

ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

جریان در ناحیه تریود

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور NMOS

مشخصه iD-VDS

مقاومت کانال

که مستقل از ولتاژ VDS است.

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS

مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

(Weak avalanche)

مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC

استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند

بایاس از طریق مقاومت فیدبک

بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت

نقطه بایاس DC

شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع

جریان سیگنال در درین

گین ولتاژ

مدار معادل سیگنال کوچک

برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک

گین سیگنال کوچک

مقدار مقاومت ورودی

آنالیز DC

مدل T

تقویت کننده سورس مشترک

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک

مشخصات تقویت کننده گیت مشترک

مقدار مقاومت خروجی:

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

کاربرد تقویت کننده گیت مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مدل سیگنال کوچک

عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ

بدست آوردن نقطه کار

دانلود

دانلود محصولات علمی

پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

پاورپوینت (اسلاید) ترانزیستورهای تک الکترون

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

پاورپیونت (اسلاید) تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستور

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور

ترانزیستور ماسفت

ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور اثر میدان

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده گیت مشترک

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS